非易失存储器及其制造方法

摘要

一种非易失存储器的制造方法，此方法系先提供衬底，并于衬底上形成由多个第一存储单元与多个第二存储单元所构成之存储胞数组。继而，于存储胞数组两侧的衬底中形成源极区与漏极区。然后，于衬底上形成图案化之第一层间绝缘层，以形成第一沟槽与第二沟槽。继之，于衬底上形成导体层，以于第一沟槽中形成源极线，于第二沟槽中形成多条导线。之后，于衬底上形成第二层间绝缘层，再于第二层间绝缘层及第一层间绝缘层中形成与漏极区接触之导电插塞。继而，于第二层间绝缘层上形成与导电插塞接触之位线。

主权项

1.一种非易失存储器的制造方法，包括：提供衬底；于该衬底上形成多数个第一存储单元，该些第一存储单元彼此之间具有间隙，各该些第一存储单元由该衬底起依序包括第一复合介电层、第一栅极与顶盖层；分别于该些第一存储单元之侧壁形成一绝缘间隙壁；于该些第一存储单元之间的该些间隙中形成多数个第二存储单元，该些第二存储单元与该些第一存储单元构成存储胞数组，各该些第二存储单元由该衬底起依序包括第二复合介电层与第二栅极；于该存储胞数组两侧的该衬底中形成源极区与漏极区；于该衬底上形成第一层间绝缘层；图案化该第一层间绝缘层，以形成第一沟槽与多数个第二沟槽，该第一沟槽暴露该源极区，该些第二沟槽分别暴露同一行之该些第二存储单元之该些第二栅极；于该衬底上形成导体层，该导体层填满该第一沟槽与该些第二沟槽；移除部分该导体层直到暴露该第一层间绝缘层，以于该第一沟槽中形成源极线，并于该些第二沟槽中形成多数条导线；于该衬底上形成第二层间绝缘层；于该第二层间绝缘层及该第一层间绝缘层中形成与该该漏极区接触之一导电插塞；以及于该第二层间绝缘层上形成与该导电插塞接触之位线。