| 发明名称 | 非挥发性存储器及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 一种非挥发性存储器，至少是由基底、存储单元与源极/漏极区所构成的。存储单元设置于基底上，存储单元至少包括第一存储单元与第二存储单元。其中，第一存储单元由基底起包括浮置栅极与第一控制栅极。第二存储单元设置于第一存储单元的一侧壁，第二存储单元包括电荷陷入层与第二控制栅极。源极/漏极区设置于存储单元两侧的基底中。 | ||
| 申请公布号 | CN100452356C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200510092129.0 | 申请日期 | 2005.08.19 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 翁伟哲;杨青松 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种非挥发性存储器，包括：一基底；一存储单元，设置于该基底上，该存储单元包括：一第一存储单元，该第一存储单元由该基底起至少包括一浮置栅极与一第一控制栅极；一第二存储单元，设置于该第一存储单元的一侧壁，该第二存储单元由该基底起包括一电荷陷入层与一第二控制栅极；以及一源极/漏极区，设置于该存储单元两侧的该基底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||