硅片外延线性缺陷的测定方法

摘要

本发明公开了一种硅片外延线性缺陷的测定方法，包括如下步骤：在硅片外延薄膜生长前，选取多点测量外延薄膜成膜前衬底的曲率半径；在外延生长完成后，测量外延膜厚；测量外延薄膜成膜后衬底的曲率半径；根据前述外延薄膜成膜前衬底的曲率半径、外延膜厚和外延薄膜成膜后衬底的曲率半径，计算硅片外延部分的应力；根据硅片外延部分的应力变化判定是否存在线性缺陷。本发明通过对硅片外延生长后应力的测量来判定硅片是否存在线性缺陷，可使用半导体工厂常用的应力仪完成，便捷而准确。

主权项

1、一种硅片外延线性缺陷的测定方法，用以测定硅片与缺角水平或垂直处所产生的线性缺陷，其特征是，包括如下步骤：步骤一，在硅片外延薄膜生长前，选取多点测量外延薄膜成膜前衬底的曲率半径；步骤二，在外延生长完成后，在上述各点测量外延膜厚；步骤三，测量上述各点外延薄膜成膜后衬底的曲率半径；步骤四，根据前述外延薄膜成膜前衬底的曲率半径、外延膜厚和外延薄膜成膜后衬底的曲率半径，计算硅片外延部分上述各点的应力；步骤五，根据硅片外延部分的应力变化判定是否存在线性缺陷。