| 发明名称 | 氮化物半导体元件和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。 | ||
| 申请公布号 | CN100452583C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200480027878.9 | 申请日期 | 2004.09.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 川口靖利;岛本敏孝;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01S5/323(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体元件，包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层，其中，所述p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层；和包含Mg的第二p型氮化物半导体层，所述第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，所述第二p型氮化物半导体层具有比所述第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙，还包括位于所述第一p型氮化物半导体层和所述激活层之间并且包含Al的非掺杂氮化物半导体层，所述非掺杂氮化物半导体层具有比所述第二p型氮化物半导体层的能带间隙小的能带间隙。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||