| 发明名称 | CuxO电阻随机存储器的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的一种Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器的制备方法，属于存储器技术领域，所述CuxO电阻存储器的制备方法包括通过活性气体对所述CuxO电阻存储薄膜进行表面改性处理的特征步骤。通过对CuxO薄膜的表面改性处理，改变表面缺陷分布，使CuxO电阻存储器件具有稳定的操作电压、提高存储性能。本发明方法可与现有集成电路工艺兼容，成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN101345288A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810042507.8 | 申请日期 | 2008.09.04 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;宋雅丽 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1.一种电阻随机存储器的制造方法，首先在衬底上构图形成Cux0电阻存储薄膜，1＜x≤2，其特征在于包括步骤：通过活性气体，对所述Cux0电阻存储薄膜进行表面改性处理。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||