| 发明名称 | 非易失性存储器件及读取存储单元的方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性器件和操作该器件的方法，其包括根据不同存储单元组的阈值电压分布的变化改变用于读取一组存储单元的读取参考电平。该改变步骤可以包括确定与非易失性存储器单元阵列的一组存储单元相关的历史单元的历史读取参考电平以及将感测到的逻辑状态分布与存储的逻辑状态分布进行比较。 | ||
| 申请公布号 | CN101345087A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810135688.9 | 申请日期 | 2008.07.09 |
| 申请人 | 赛芬半导体有限公司 | 发明人 | 爱德华多·马彦;盖伊·科亨;博阿兹·埃坦 |
| 分类号 | G11C16/28(2006.01) | 主分类号 | G11C16/28(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 邬少俊;王英 |
| 主权项 | 1、一种选择与用于一组非易失性存储器(“NVM”)单元的给定逻辑状态相关的读取参考电平的方法，所述方法包括：从与该组NVM单元相关的历史单元导出初始读取参考电平；以及将利用所述初始读取参考电平感测的该组NVM单元的逻辑状态分布与存储的该组NVM单元的逻辑状态分布进行比较。 | ||
| 地址 | 以色列内坦亚 | ||