| 发明名称 | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 | ||
| 摘要 | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。 | ||
| 申请公布号 | CN101345221A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810130233.8 | 申请日期 | 2008.06.16 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 笠井仁;石桥惠二;中畑成二;秋田胜史;京野孝史;三浦祥纪 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种具有主表面的GaN衬底，其中：相对于垂直于所述主表面的矢量，[0001]平面取向在彼此不同的两个离轴方向上倾斜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||