| 发明名称 | 一种紫外倍频激光器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种紫外倍频激光器，包括半导体激光器、光学耦合系统以及激光腔，激光腔包括激光增益介质、倍频晶体以及紫外倍频晶体，其中在激光增益介质与紫外倍频晶体设置紫外光透明的Walk－off晶体，利用紫外光透明的Walk－off晶体改变倍频光偏振方向，将易受紫外光损伤的光学元件如激光增益介质隔离在紫外光透明的Walk－off晶体一端，从而保护整个激光器免受其产生紫外光损伤，实现紫外腔内倍频。 | ||
| 申请公布号 | CN101345390A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810071340.8 | 申请日期 | 2008.07.03 |
| 申请人 | 福州高意通讯有限公司 | 发明人 | 吴砺;孙玉;韩斌;杨建阳;陈卫民 |
| 分类号 | H01S3/05(2006.01);H01S3/109(2006.01);H01S3/08(2006.01) | 主分类号 | H01S3/05(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种紫外倍频激光器，包括半导体激光器、光学耦合系统以及激光腔，激光腔包括激光增益介质、倍频晶体或三倍频、四倍频、五倍频晶体以及紫外倍频晶体，其特征在于：在激光增益介质与紫外倍频晶体设置紫外光透明的Walk-off晶体，紫外光透明的Walk-off晶体高于激光腔中的其它光学元件，激光腔的激光增益介质一端镀有前腔膜，其对基波λ、倍频光λ/2高反，激光腔的紫外倍频晶体另一端镀有后腔膜，其对基波λ、倍频光λ/2高反，同时对紫外λ/4透射，紫外光透明的Walk-off晶体高出其它光学元件、相对后腔膜的面镀有腔膜，其对λ/4、λ/2、、λ/3或者λ/5倍频光高反。 | ||
| 地址 | 350014福建省福州市晋安区福兴大道39号(福州1108信箱) | ||