| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。首先，提供包括一沟槽的基底。接着，以一等向性掺杂方法，掺杂至少一杂质于基底中邻近此沟槽侧壁的区域。后续，形成一栅极介电层于此沟槽中的侧壁上，形成一栅电极于此沟槽中，且此栅电极突出基底表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101345195A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200710128746.0 | 申请日期 | 2007.07.12 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 胡伯康;李政哲;董大卫;陈孟震 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/223(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 许向华;彭久云 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底，其包括一沟槽；以一等向性掺杂方法，掺杂至少一杂质于该基底中邻近该沟槽侧壁的区域；形成一栅极介电层于该沟槽中的侧壁上；及形成一栅电极于该沟槽中，且突出该基底表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园 | ||