| 发明名称 | 硅晶片激光加工方法和激光束加工装置 | ||
| 摘要 | 一种通过沿着分割线照射激光束而在硅晶片内部沿着形成于硅晶片上的分割线形成变质层的硅晶片激光加工方法，其中激光束的波长设定为1100至2000nm。 | ||
| 申请公布号 | CN100452299C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200510108610.4 | 申请日期 | 2005.10.08 |
| 申请人 | 株式会社迪斯科 | 发明人 | 永井祐介;森重幸雄;渡边阳介 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01);H01L21/428(2006.01);H01L21/301(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L21/00(2006.01);B23K26/00(2006.01);B28D5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/268(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 1、一种硅晶片激光加工方法，其通过沿着形成于硅晶片上的分割线照射激光束而沿分割线在硅晶片内部形成变质层，其中：激光束的波长设定为1100至2000nm；激光束的平均输出为0.5至10W；激光束的重复频率为10至800kHz。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||