| 发明名称 | 制造半导体器件的方法以及一种半导体衬底 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，在具有(100)向晶面的硅(Si)衬底(11)上形成薄膜(12)，去除位于元件隔离区上的所述薄膜(12)的部分。然后，通过利用所述薄膜(12)作为掩膜以及氢氟酸和臭氧水的混合溶液，对所述Si衬底(11)进行选择性蚀刻，在所述衬底(11)中形成沟槽(15)以隔离元件。 | ||
| 申请公布号 | CN100452345C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200510109849.3 | 申请日期 | 2005.08.26 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宫崎邦浩;松尾弘之;中岛俊贵 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括以下步骤：在硅(Si)衬底(11)的主表面上形成薄膜(12)，所述主表面具有(100)向晶面；去除位于元件隔离区上的所述薄膜(12)的部分；以及通过利用所述薄膜(12)作为掩膜，并通过利用氢氟酸和臭氧水的混合溶液，在所述Si衬底上进行选择性蚀刻，从而在所述Si衬底(11)中形成元件隔离沟槽(15)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||