| 发明名称 | 倍频晶体温度梯度补偿法控温装置 | ||
| 摘要 | 一种用于高功率固体激光器的倍频晶体温度梯度补偿的控温装置，该控温装置通过倍频晶体上下面分别控温结构并采用高精度控温系统结合控温元件控制晶体上下两面工作在不同的温度点形成自上而下的一维温度梯度，并通过调整激光器工作中基波通过倍频晶体的位置形成自下而上与之相反的温度梯度，两个相反的温度梯度相互补偿达到使倍频晶体整体工作温度均匀化。本发明有效地改善了固体激光器在高功率运转条件下因倍频晶体局部温升而产生相位失配和热透镜效应，提高了激光器的倍频效率和输出稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN100452571C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200610119573.1 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 赵智亮;陈立华;朱健强 |
| 分类号 | H01S3/042(2006.01);H01S3/109(2006.01);G05D23/19(2006.01) | 主分类号 | H01S3/042(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种用于高功率固体激光器的倍频晶体温度梯度补偿控温装置，特征在于其构成如下：倍频晶体(5)平行于基波通光方向放置，该倍频晶体(5)的上下表面分别与第一铜热沉(4)和第二铜热沉(8)形成紧密的面接触，该倍频晶体(5)的左右两侧分别采用绝热层(7)将铜热沉热绝缘开来，同时使晶体沿左右两侧方向绝热，所述的第一铜热沉(4)和第二铜热沉(8)再分别与第一半导体制冷器(3)的制冷面、第二半导体制冷器(9)的制冷面接触，所述的第一铜热沉(4)和第二铜热沉(8)内分别设有第一温度传感器(2)和第二温度传感器(10)，该第一温度传感器(2)接第一高精度温度控制系统(1)的输入端，该第一高精度温度控制系统(1)的输出端接所述的第一半导体制冷器(3)的控制端，第二温度传感器(10)接第二高精度温度控制系统(11)的输入端，该第二高精度温度控制系统(11)的输出端接所述的第二半导体制冷器(9)的控制端。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||