| 发明名称 | 风冷电光Q开关 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种风冷电光Q开关，利用Pockels电光效应调Q，包括电光晶体、电极、绝缘导热层及散热器，电光晶体外侧形成电极，金属将电极引出外接高压电源，绝缘导热层紧密接触电光晶体，另一侧与散热器紧密接触。本发明电光Q开关重复频率高、全风冷式设计，散热结构简单、紧凑，散热效果良好。 | ||
| 申请公布号 | CN100452576C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200510101870.9 | 申请日期 | 2005.11.28 |
| 申请人 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 发明人 | 高云峰;王民俊;肖岗;周德平 |
| 分类号 | H01S3/127(2006.01) | 主分类号 | H01S3/127(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种风冷电光Q开关，利用Pockels电光效应调Q，包括电光晶体、电极、绝缘导热层及散热器，其特征在于：电光晶体外侧形成电极，金属将电极引出外接高压电源，绝缘导热层紧密接触电光晶体，另一侧与散热器紧密接触。 | ||
| 地址 | 518057广东省深圳市南山区高新科技园松坪山工厂区5号路8号 | ||