| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于实现导电层的密接性的提高和迁移的防止。半导体装置的制造方法，包括：(a)在具有电极垫(16)以及钝化膜(18)的半导体基板(10)的上方形成第一树脂层(20b)的工序；(b)固化第一树脂层(20b)的工序；(c)至少在第一树脂层(20)的根基部形成第二树脂层(30a)的工序，该第二树脂层(30a)的上升相比固化后的第一树脂层(20)更平缓；(d)通过固化第二树脂层(30a)，而形成包括第一以及第二树脂层(20、30)的树脂突起(40)的工序；(e)形成与电极垫(16)电连接，且经过树脂突起(40)的上方的导电层(50)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100452337C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200610100071.4 | 申请日期 | 2006.06.28 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 田中秀一;伊东春树 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其中，包括：(f)在具有电极垫以及钝化膜的半导体基板的上方形成第一树脂层的工序；(g)固化所述第一树脂层的工序；(h)至少在所述第一树脂层的根基部形成第二树脂层的工序；(i)通过固化所述第二树脂层，形成树脂突起的工序，该树脂突起包含所述第一以及第二树脂层，并且与固化后的所述第一树脂层相比上升更平缓；(j)形成导电层的工序，该导电层与所述电极垫电连接，且经过所述树脂突起的上方。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||