发明名称 Halbleiterbauelement
摘要 Ein Halbleiterbauelement enthält: eine erste Schicht mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Schicht mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine dritte Schicht mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine oder mehrere erste Zonen mit dem ersten Leitfähigkeitstyp und innerhalb der zweiten Schicht angeordnet, wobei jede einzelne der einen oder mehreren ersten Zonen sich neben der dritten Schicht befindet, und eine oder mehrere zweite Zonen mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp und innerhalb der zweiten Schicht angeordnet, wobei jede einzelne der einen oder mehreren zweiten Zonen sich neben einer oder mehreren der einen oder mehreren ersten Zonen befindet.
申请公布号 DE102008023471(A1) 申请公布日期 2009.01.02
申请号 DE200810023471 申请日期 2008.05.14
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 FELSL, HANS-PETER;SCHULZE, HANS-JOACHIM
分类号 H01L29/861;H01L21/8248;H01L29/749 主分类号 H01L29/861
代理机构 代理人
主权项
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