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发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Transistor-Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号 DE102007009727(B4) 申请公布日期 2009.01.02
申请号 DE200710009727 申请日期 2007.02.28
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 RIEGER, WALTER;POELZL, MARTIN;ZUNDEL, MARKUS
分类号 H01L21/336;H01L21/311;H01L29/739;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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