Transistor mit reduziertem Gatewiderstand und verbesserter Verspannungsübertragungseffizienz und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Durch Entfernen eines oberen Bereichs einer komplexen Abstandshalterstruktur, etwa einer Dreifach-Abstandshalterstruktur, wird eine obere Fläche eines Zwischenabstandshalters freigelegt, wodurch das Entfernen des äußersten Abstandshalters und von Material des Zwischenabstandshalters in einem gut steuerbaren gemeinsamen Ätzprozess möglich ist. Folglich können Seitenwandbereiche der Gateeleketrode effizient für einen nachfolgenden Silizidierungsprozess freigelegt werden, während der restliche reduzierte Abstandshalter für ausreichende Prozesssicherheiten sorgt. Danach wird ein stark verspanntes Material abgeschieden, wodurch ein verbesserter Verspannungsübertragungsmechanismus bereitgestellt wird.