| 摘要 |
Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils, das wenigstens einen der folgenden Schritte enthalten kann: Ausbilden einer unteren Metallverdrahtung auf und/oder über einem Halbleitersubstrat. Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms mit einem Damaszenerloch auf und/oder über dem Halbleitersubstrat und der unteren Metallverdrahtung. Ausbilden eines Films zur Diffusionssperre auf und/oder über der freigelegten unteren Metallverdrahtung unterhalb des Damaszenerlochs und/oder auf Seitenflächen des Damaszenerlochs. Selektives Entfernen des Films zur Diffusionssperre, der auf und/oder über der freigelegten unteren Metallverdrahtung an der Unterseite des Damaszenerlochs mit Hilfe eines Plasmaprozesses, bei dem ein Edelgas verwendet wird, gebildet ist.
|
