发明名称 Doppelgate-FinFET
摘要 Eine Schaltung weist einen von einem Substrat getragenen Steg auf. Eine Sourceelektrode ist an einem ersten Ende des Stegs ausgebildet und eine Drainelektrode ist an einem zweiten Ende des Stegs ausgebildet. Ein Paar von unabhängig zugänglichen Gateelektroden ist seitlich entlang des Stegs zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode beabstandet. Jede Gateelektrode ist um etwa drei Seiten des Stegs herum ausgebildet.
申请公布号 DE102008001531(A1) 申请公布日期 2009.01.02
申请号 DE200810001531 申请日期 2008.05.02
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 NAWAZ, MUHAMMAD
分类号 H01L27/085;H01L21/8234;H01L29/78 主分类号 H01L27/085
代理机构 代理人
主权项
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