发明名称 制造半导体元件之方法
摘要 一种制造电容器之方法,该方法包含:在基板的上方部分上形成具有复数个沟槽的牺牲层;在该沟槽中形成储存节点;藉由移除该牺牲层之一部份来露出该储存节点之上方部分;形成支撑部,藉以支撑该储存节点之露出的上方部分;移除在该支撑部下方的该牺牲层;以及移除该支撑部。
申请公布号 TW200901387 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW096150496 申请日期 2007.12.27
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李起正;卢载盛;廉胜振;宋翰相;吉德信;金荣大;金珍赫;都官佑
分类号 H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;丁国隆
主权项
地址 南韩