发明名称 蚀刻溶液、半导体基板之表面处理方法以及形成浅沟渠隔离之方法
摘要 一种蚀刻溶液、半导体基板之表面处理方法以及形成浅沟渠之方法。此蚀刻溶液系用以进行半导体基板之表面处理,此蚀刻溶液包括一氧化剂以及一氧化物移除剂。氧化剂系用以氧化半导体基板为一半导体氧化物。氧化物移除剂用以移除上述之半导体氧化物。
申请公布号 TW200900485 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW096123609 申请日期 2007.06.28
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吴家伟;谢荣裕;杨令武
分类号 C09K13/00(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/76(2006.01) 主分类号 C09K13/00(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号