发明名称 | 蚀刻溶液、半导体基板之表面处理方法以及形成浅沟渠隔离之方法 | ||
摘要 | 一种蚀刻溶液、半导体基板之表面处理方法以及形成浅沟渠之方法。此蚀刻溶液系用以进行半导体基板之表面处理,此蚀刻溶液包括一氧化剂以及一氧化物移除剂。氧化剂系用以氧化半导体基板为一半导体氧化物。氧化物移除剂用以移除上述之半导体氧化物。 | ||
申请公布号 | TW200900485 | 申请公布日期 | 2009.01.01 |
申请号 | TW096123609 | 申请日期 | 2007.06.28 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴家伟;谢荣裕;杨令武 |
分类号 | C09K13/00(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | C09K13/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |