发明名称 发光二极体结构、光电元件及其制造方法
摘要 一种发光二极体结构,其包括一基板、一应力降低种子层、一磊晶层、一第一电极以及一第二电极。应力降低种子层配置于基板上,其中此应力降低种子层包括多个群聚,且这些群聚之材料系选自由氮化铝、氮化镁、氮化铟所成群组其中之一。磊晶层包含依序堆叠之一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层。第一电极配置于暴露出之第一型掺杂半导体层上,且与第一型掺杂半导体层电性连接。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上,且与第二型掺杂半导体层电性连接。
申请公布号 TW200901494 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW096122017 申请日期 2007.06.20
申请人 国立中央大学 发明人 郭政煌;赖韦志;郭奇文
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号