发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 一种半导体元件,其包含具有凹陷闸极之电晶体、多数接触栓塞系形成在藉由使半导体基板凹陷所形成之许多沟渠的区域中。再者,金属线和源极/汲极区可以透过接触栓塞连接,使得导通电流可以增加像通道区域所增加的一样多。
申请公布号 TW200901329 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW096143395 申请日期 2007.11.16
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 金大植
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;丁国隆
主权项
地址 南韩