| 摘要 |
得到一种即使构成反射膜之介电体膜之膜厚或反射率变动也能稳定地控制反射率的半导体雷射装置，其中，此反射膜系形成于半导体雷射端面。半导体雷射装置除了具备反射率3.5以下之GaN基板1、基板1之上所叠积之半导体层，亦在与叠积方向垂直之方向上具有相对之一对共振器端面。在其一共振器端面设置低反射膜6，而此低反射膜6系由第1介电体膜8、第2介电体膜9、第3介电体膜10、第4介电体膜11所构成。以n#sB!1#eB!、n#sB!2#eB!、n#sB!3#eB!、n#sB!4#eB!表示反射率的话，n#sB!1#eB!＝n#sB!3#eB!、n#sB!2#eB!＝n#sB!4#eB!。另外，在第1介电体膜8及第3介电体膜10、第2介电体膜9及第4介电体膜11之间，系具有nd＋n’d’＝pλ/4（p：整数、λ：雷射光之振荡波长）之关系。 |
