| 摘要 |
本发明之形成膜用组成物系含有具有下式(1)所示之示性式，120℃下为固体状之矽酮树脂与特定之矽烷化合物进行水解缩合得到之水解缩合物与(F)有机溶剂。(H#sB!2#eB!SiO)#sB!n#eB!(HSiO#sB!1.5#eB!)#sB!m#eB!(SiO#sB!2#eB!)#sB!k#eB!…‥(1) (式(1)中，n、m及k各自为数字，n+m+k=1时，n为0.05以上，m超过0、在0.95以下，k为0～0.2。)上述之形成膜用组成物可适用于希望高集积化及多层化之半导体元件等，形成绝缘膜时，可简单获得所期望之比介电率。 |
