使用虚拟记忆体单元来调整非挥发记忆体之阻抗的方法和装置

摘要

在一些非挥发性储存器系统中，将资料记忆体单元之一区块制造为在该区块之底部、在该区块之顶部及/或在其他位置处具有一虚设字线。藉由选择性地程式化该(等)虚设字线上之记忆体单元，可改变与该等资料记忆体单元相关联之电阻以考量不同程式化资料型样。