外扩散抑制的半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种外扩散抑制的半导体装置之制造方法。形成方法包含：提供一基板；形成一沟渠于基板内；形成一第一导电层于沟渠内；形成一介电层于第一导电层上方且于沟渠的侧壁上；形成一第二导电层于第一导电层上且邻接介电层；形成一非晶间隙壁于介电层上方的沟渠侧壁；以及形成一第三导电层于第二导电层上方且邻接非晶间隙壁以形成埋带。