发明名称 于半导体元件中形成细微图案之方法
摘要 一种于半导体元件中形成细微图案之方法包含:形成蚀刻停止层及牺牲层于蚀刻目标层上方;形成多个光阻图案于该牺牲层上方;藉由使用该等光阻图案作为蚀刻障壁蚀刻该牺牲层,以形成多个牺牲图案;于该等牺牲图案之二侧壁上形成多个间隙;移除该等牺牲图案;及藉由使用该间隙作为蚀刻障壁,蚀刻该蚀刻停止层及该蚀刻目标层。
申请公布号 TW200901272 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW096150495 申请日期 2007.12.27
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 金原圭;宣俊劦
分类号 H01L21/027(2006.01);H01L21/32(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;丁国隆
主权项
地址 南韩