快闪记忆体的结构及其制作方法

摘要

一种快闪记忆体，包含有一基底；一Ｔ型控制闸极，设于该基底上；一浮置闸极，设置在该Ｔ型控制闸极两侧下方之凹入处；一介电层，介于该Ｔ型控制闸极与该浮置闸极之间；一帽盖层，位于该Ｔ型控制闸极的正上方；一控制闸极氧化层，介于该Ｔ型控制闸极与该基底之间；一浮置闸极氧化层，介于该浮置闸极与该基底之间；一衬垫层，覆盖在该帽盖层与该浮置闸极表面上；以及一汲极/源极掺杂区，设于该浮置闸极一侧的该基底中。该浮置闸极与该介电层之一面系在一垂直方向上切齐，构成一垂直侧壁。