用于改良红色像素之量子效能之影像感测器装置之方法，结构以及系统

摘要

一种用于仅在一CMOS影像感测器之红色像素位置中提供一高能量植入的方法及结构。该植入增加该等红色像素之光子收集深度，进而增加该等红色像素之量子效能。在一项具体实施例中，在一p型基板上形成一CMOS影像感测器，且该高能量植入系一p型植入，其在该红色像素下方建立一p型接地，从而减少暗度非均匀性效应。在另一项具体实施例中，在一n型基板上形成一CMOS影像感测器且一高能量p型植入仅在该红色像素下方建立一p型区域以增加光子收集深度，进而增加该等红色像素的量子效能。