画素结构及其制作方法

摘要

一种画素结构及其制作方法，主要利用半调式光罩或灰调式光罩制程技术将半导体图案与资料配线一起定义完成。此外，亦可进一步采用自我对准的方式，经由光阻灰化与蚀刻等步骤来制作具有对称长度的轻掺杂区，因此可有效避免知以光罩来定义轻掺杂区时可能产生的光罩对位误差问题。另外，可使源极图案与汲极图案直接接触半导体图案的源极区与汲极区，因此可省去一道制作通孔的制程。再者，本发明也可以制作环绕画素区域外围的共用配线图案，藉以提高画素结构的开口率。