| 发明名称 |
High hole mobility semiconductor device |
| 摘要 |
One embodiment of the invention includes a high hole mobility p-channel GaAsySb1-y quantum well with a silicon substrate and an InxAl1-xAs barrier layer.
|
| 申请公布号 |
US2009001350(A1) |
申请公布日期 |
2009.01.01 |
| 申请号 |
US20070823516 |
申请日期 |
2007.06.28 |
| 申请人 |
HUDAIT MANTU K;DATTA SUMAN;CHAU ROBERT S;RADOSAVLJEVIC MARKO |
发明人 |
HUDAIT MANTU K.;DATTA SUMAN;CHAU ROBERT S.;RADOSAVLJEVIC MARKO |
| 分类号 |
H01L29/12;H01L21/20 |
主分类号 |
H01L29/12 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
