具有改良式关闭状态泄漏电流之接面场效电晶体（ＪＦＥＴ）装置及其制造方法

摘要

一种接面场效电晶体包含一半导体基材。一第一传导类型的一第一杂质区系形成于该基材内。该第一传导类型的一第二杂质区系形成于该基材内且与该第一杂质区分隔开。该第一传导类型的一通道区系形成于介于该等第一和第二杂质区之间。一第二传导类型的一闸极区系形成于介于该等第一和第二杂质区之间的该基材内。一间隙区系形成于介于该闸极区和该第一杂质区之间的该基材内以使得该第一杂质区与该闸极区分隔开。