半导体装置之制造方法及对曝光用遮罩形成图案之方法

摘要

本发明之半导体装置之制造方法的特征为：使用从曝光用遮罩之图案作成区域虚拟分割之网孔状的数个胞区域之每个胞区域中包含之图案面积，与前述图案之外周边的长度总和，算出修正产生于前述图案之尺寸误差的修正量，将修正了前述修正量之尺寸的图案曝光于涂布有抗蚀膜之基板，曝光后，前述抗蚀膜实施显像，使用显像后之抗蚀图案将前述基板实施加工。