发明名称 | 半导体结构及浅沟槽隔离结构的制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体结构的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一图案化之硬罩幕层及一开口,且从该开口暴露出该基底;移除部分未被该图案化之硬罩幕层覆盖的该基底,以形成一沟槽;形成一介电层以填满该沟槽,且覆盖该图案化之硬罩幕层;实施一预处理制程,以钝化该介电层上之突出物并移除该介电层上可能之尘粒;对该介电层实施一平坦化制程。 | ||
申请公布号 | TW200901305 | 申请公布日期 | 2009.01.01 |
申请号 | TW096123740 | 申请日期 | 2007.06.29 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 俞笃豪 |
分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |