发明名称 半导体结构及浅沟槽隔离结构的制造方法
摘要 一种半导体结构的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一图案化之硬罩幕层及一开口,且从该开口暴露出该基底;移除部分未被该图案化之硬罩幕层覆盖的该基底,以形成一沟槽;形成一介电层以填满该沟槽,且覆盖该图案化之硬罩幕层;实施一预处理制程,以钝化该介电层上之突出物并移除该介电层上可能之尘粒;对该介电层实施一平坦化制程。
申请公布号 TW200901305 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW096123740 申请日期 2007.06.29
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 俞笃豪
分类号 H01L21/306(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号