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发明名称
制造半导体元件之方法
摘要
一种制造半导体元件之方法,包含:形成复数柱,其系以第一方向及与该第一方向相交之第二方向而配置于基板上,藉以形成合成结构;于该包含复数柱之合成结构上形成披覆层;移除于该等柱间之基板上所形成之披覆层,以露出该等柱间之基板,藉以形成合成结构;形成金属层于该合成结构上;对该金属层施加第一热处理,于该等柱间之已露出的基板上形成矽化物层;移除没有反应的矽化物层;及于以第一方向配置之该等柱之列间及在该矽化物层下方的基板中形成隔离沟渠,以界定围绕该等柱及沿着该第一方向延伸之位元线。
申请公布号
TW200901386
申请公布日期
2009.01.01
申请号
TW096150180
申请日期
2007.12.26
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
李敏硕
分类号
H01L21/8242(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01)
主分类号
H01L21/8242(2006.01)
代理机构
代理人
何金涂;丁国隆
主权项
地址
南韩
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