沟渠式金属氧化物半导体

摘要

使用远端接点至一沟渠式金属氧化物半导体(MOS)肖特基势垒(TMBS)装置中TMBS装置之多晶矽区域，以及至MOS场效电晶体(MOSFET)之多晶矽区域及单晶体整合式TMBS及MOSFET(SKYFET)装置之TMBS区块。该多晶矽为相对平台凹陷。源极金属至TMBS区块之多晶矽区域为经由多晶矽延伸至TMBS区块之主动区域外。此在装置架构中的改变解除在接触步骤前由TMBS区块之多晶矽及矽平台区域移除所有的氧化物之需求。因此，可避免接触金属侵入在TMBS装置中或在SKYFET装置之沟渠侧壁。