藉由非保角受应力层之使用以增强电晶体之性能

摘要

本发明揭示具有独立应变通道区域之NFET及PFET元件，及其制造方法。一应力层以该应力层关于闸极为非保形之方式上覆于该元件。与保形之应力层相比，应力层之非保形性增加赋予元件之通道上的应力之量。用于以一非保形方式上覆之方法包括非保形沈积技术以及随后该层藉由蚀刻转变为非保形层之保形沈积。