发明名称 侦测读取扰动产生之位元错误的记忆体系统及其方法
摘要 提供可侦测读取扰动产生之位元错误的方法以及记忆体系统。读取记忆体系统中之快闪记忆体的主页面。侦测并校正自主页面读取之资料中的位元错误。平行于读取主页面而侦测自快闪记忆体之虚设页面读取之资料中的位元错误。
申请公布号 TW200901214 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097122690 申请日期 2008.06.18
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 安世镇;金容铉;崔成业;金龙经
分类号 G11C29/42(2006.01) 主分类号 G11C29/42(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 南韩