| 发明名称 |
PLASMA ENHANCED CHEMICHAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD |
| 摘要 |
A substrate processing system includes a deposition chamber and a plurality of tubular electrodes positioned within the deposition chamber defining plasma regions adjacent thereto. |
| 申请公布号 |
US2009004363(A1) |
申请公布日期 |
2009.01.01 |
| 申请号 |
US20080206040 |
申请日期 |
2008.09.08 |
| 申请人 |
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发明人 |
KESHNER MARVIN S.;MCCLELAND PAUL H. |
| 分类号 |
C23C16/52;C23C16/30;C23C16/513 |
主分类号 |
C23C16/52 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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