| 摘要 |
本发明系关于一种快闪记忆体装置之制造方法，这种制造方法可防止于形成层间介电膜时产生空隙。这种快闪记忆体装置之制造方法系包含：于半导体基板上形成电闸；于此半导体基板上依次堆叠第一介电膜与第二介电膜；透过第一蚀刻制程于电闸之侧壁上形成包含有第一介电膜型样与第二介电膜型样之第一间隔件；于此半导体基板中形成源极区与汲极区；移除此第二介电膜；于此半导体基板上依次堆叠第三介电膜与第四介电膜；透过第二蚀刻制程于此电闸之侧壁上形成包含有第一介电型样与第三介电型样之第二间隔件；以及于包含有此电闸与第二间隔件之半导体基板上形成层间介电膜。 |
