埋入式字元线之结构

摘要

本发明揭示一种埋入式字元线之结构，其包括一具有一Ｕ形槽之半导体基底，一Ｕ形闸极介电层于Ｕ形槽中、一多晶矽层位于Ｕ形闸极介电层上、一导电层位于多晶矽层之上、一介电盖层覆盖于导电层上。此种埋入式字元线之结构具有小的尺寸，藉以形成凹入式通道时，可增进半导体元件之积集度，而不致产生短通道效应。