ＮＡＮＤ型非挥发性记忆体、源极／汲极线插塞及其制造方法

摘要

一种源极/汲极线插塞的制造方法。首先，在基底中形成多个元件隔离结构，而两相邻之元件隔离结构之间定义出主动区。然后，于各主动区之基底中形成一源极/汲极区。接着，移除部分源极/汲极区两侧之元件隔离结构，使元件隔离结构的表面低于源极/汲极区之基底表面。之后，于基底上形成介电层，接着图案化此介电层以形成暴露出源极/汲极区之多个沟渠。继之，于沟渠所暴露的源极/汲极区上形成选择性矽成长材料层，以至少覆盖源极/汲极区之基底的顶角。之后，于选择性矽成长材料层上依序形成金属矽化物层与金属层以填满沟渠，以形成多个源极/汲极线插塞。