在抹除一非挥发性记忆体元件过程中用于自我收敛的系统和方法

摘要

一非挥发性记忆体元件实现在正常抹除周期中的自我收敛，经由物理外观的控制，例如，在该闸极结构以及整个闸极结构中介电层的厚度，宽度，面积等等。自我收敛也可以在正常抹除周期中藉由在该抹除周期中急速增加施加至该控制闸极的抹除电压而更显着。