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发明名称
晶片电阻器及其制法
摘要
一种晶片电阻器及其制法,系藉一热熔接合层相对接合一基材与一电阻体,并利用一保护层覆盖至该电阻体局部表面,以使该电阻体表面未覆盖该保护层之部份区隔成二电极区,俾排除知技术不必要的电流传导阻抗、有效稳定减小电阻温度系数(TCR),而基材与电阻体的接合设计则可排除知技术使用半导体制程之高成本缺点,达易于制造、提升制程良率与降低成本之效。
申请公布号
TW200901238
申请公布日期
2009.01.01
申请号
TW096123659
申请日期
2007.06.29
申请人
斐成企业股份有限公司
发明人
蔡荣泽
分类号
H01C7/00(2006.01)
主分类号
H01C7/00(2006.01)
代理机构
代理人
陈昭诚
主权项
地址
高雄市苓雅区四维三路6号24楼之2(B室)
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