发明名称 矽膜乾蚀刻方法
摘要 一种矽膜的乾式蚀刻法,其特征为:准备已在基板上层积有矽膜的被加工物;将被加工物搬入至平行配置有高频电极及对向电极的平行平板型之乾式蚀刻装置内,将前述被加工物的基板载置于前述高频电极上或是对向电极上之任一方;将前述乾式蚀刻装置减压,将氟气体以及氯气体导入至前述乾式蚀刻装置内;以及前述高频电极上施加高频,蚀刻前述矽膜。
申请公布号 TW200901315 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097119800 申请日期 2008.05.29
申请人 尾计算机股份有限公司 发明人 登久雄
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;丁国隆
主权项
地址 日本