发明名称 原子层沈积系统及方法
摘要 利用原子层沉积(ALD)以沉积薄膜之系统及方法。沉积系统包含具有周围侧壁之处理腔室;处理腔室中之处理空间分割成至少第一及第二隔间的分隔部;及于处理空间中支撑基板之承盘。承盘相对于静止的周围侧壁及隔间旋转基板。第一隔间容纳用于在各基板之上沉积一层之处理材料。注入处理材料之注入器穿过周围侧壁连接第一隔间。
申请公布号 TW200900527 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097103865 申请日期 2008.02.01
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 安东尼 迪普
分类号 C23C16/455(2006.01);C23C16/54(2006.01);H01L21/67(2006.01) 主分类号 C23C16/455(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本