横向双扩散金氧化半导体装置及其制造方法

摘要

一种横向双扩散金氧化半导体（LDMOS）装置及其制造方法。本发明之横向双扩散金氧化半导体（LDMOS）装置系透过以下步骤形成：形成一第二导电型井于一第一导电型半导体基板上；以及形成一与第二导电型井相接触之萧特基接触于一萧特基二极体区中，由此可防止由于高电压引起的半导体装置之击穿。