发明名称 改良退火均匀度之装置特定填充之结构及方法
摘要 本发明揭露并入具变动组态之填充结构以提供均匀反射率的晶圆具体实施例及其设计结构具体实施例。达成均匀反射率的方式如下:在整个晶圆上分配具有不同半导体材料的填充结构,致使在每一区域内且最好是在每一子区域内,在不同的半导体材料之间达成几近相同的比率及密度。或者,可藉由以下方式达成均匀反射率:在整个晶圆上分配包括一或多个混合填充结构(含有变动比例的不同半导体材料)的填充结构,致使在每一区域内且最好是在每一子区域内,在不同的半导体材料之间达成几近相同的比率。或者,可藉由以下方式达成均匀反射率:在整个晶圆上分配具有不同厚度之半导体材料的填充结构,致使在每一区域内且最好是在每一子区域内,在不同的厚度半导体材料之间达成几近相同的总比率。
申请公布号 TW200901323 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097105500 申请日期 2008.02.15
申请人 万国商业机器公司 发明人 布兰特A 安德森;爱德华J 诺瓦克
分类号 H01L21/324(2006.01);H01L21/31(2006.01);G06F17/50(2006.01) 主分类号 H01L21/324(2006.01)
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国