发明名称 | 基板处理装置、基板处理方法及记录媒体 | ||
摘要 | 提供可以在相同处理室内,急速加热、冷却基板之基板处理装置。属于藉由化学处理及热处理除去基板W表面之氧化膜的基板处理装置22a,具有对处理室41内供给含有卤元素之气体和硷性气体之气体供给机构100,和在处理室41内对基板W温度调节之第1温度调节构件80及第2温度调节构件75,第2温度调节构件75是将基板W温度调节成比上述第1温度调节构件80高温。在相同处理室41内藉由化学处理及热处理除去基板W表面之氧化膜,依此不需要用以复杂搬运之复杂搬运顺序。再者,可急速加热冷却基板W。 | ||
申请公布号 | TW200901296 | 申请公布日期 | 2009.01.01 |
申请号 | TW097109100 | 申请日期 | 2008.03.14 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 大西正 |
分类号 | H01L21/302(2006.01);H01L21/67(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |