发明名称 基板处理装置、基板处理方法及记录媒体
摘要 提供可以在相同处理室内,急速加热、冷却基板之基板处理装置。属于藉由化学处理及热处理除去基板W表面之氧化膜的基板处理装置22a,具有对处理室41内供给含有卤元素之气体和硷性气体之气体供给机构100,和在处理室41内对基板W温度调节之第1温度调节构件80及第2温度调节构件75,第2温度调节构件75是将基板W温度调节成比上述第1温度调节构件80高温。在相同处理室41内藉由化学处理及热处理除去基板W表面之氧化膜,依此不需要用以复杂搬运之复杂搬运顺序。再者,可急速加热冷却基板W。
申请公布号 TW200901296 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097109100 申请日期 2008.03.14
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 大西正
分类号 H01L21/302(2006.01);H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/302(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本